MMSS8050HE3-H-TP, Bipolar Transistors - BJT PNP PURPOSE AMPLIFIER

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: MMSS8050HE3-H-TP
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) MCC MMSS8050HE3-H-TP, Bipolar Transistors - BJT ...
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.01
Информация о производителе
ПроизводительMicro Commercial Components Corp. (MCC)
БрендMicro Commercial Components Corp. (MCC)
73
+
Бонус: 1.46 !
Бонусная программа
Итого: 73
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.01
Информация о производителе
ПроизводительMicro Commercial Components Corp. (MCC)
БрендMicro Commercial Components Corp. (MCC)
Основные
collector- base voltage vcbo:40 V
collector-emitter saturation voltage:500 mV
collector- emitter voltage vceo max:25 V
configuration:Single
dc collector/base gain hfe min:200
dc current gain hfe max:350
emitter- base voltage vebo:5 V
factory pack quantity: factory pack quantity:3000
gain bandwidth product ft:100 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:Micro Commercial Components(MCC)
maximum dc collector current:1.5 A
maximum operating temperature:+150 C
minimum operating temperature:-55 C
mounting style:SMD/SMT
package / case:SOT-23-3
packaging:Reel, Cut Tape
партномер8020729010
pd - power dissipation:300 mW
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
series:AECQ-HE3
subcategory:Transistors
transistor polarity:NPN
Время загрузки2:17:51
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль