MMSS8050-H-TP

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJTБиполярный (BJT) транзистор NPN 25V 1.5A 100MHz 625mW Surface Mount SOT-23
Вес и габариты
base product numberMMSS8050 ->
collector-emitter breakdown voltage25V
current - collector cutoff (max)100nA
6
+
Бонус: 0.12 !
Бонусная программа
Итого: 6
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJTБиполярный (BJT) транзистор NPN 25V 1.5A 100MHz 625mW Surface Mount SOT-23
Вес и габариты
base product numberMMSS8050 ->
collector-emitter breakdown voltage25V
current - collector cutoff (max)100nA
current - collector (ic) (max)1.5A
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce120 @ 100mA, 1V
eccnEAR99
frequency - transition100MHz
htsus8541.21.0075
maximum dc collector current1.5A
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
pd - power dissipation300mW
power - max625mW
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
supplier device packageSOT-23
transistor typeNPN
vce saturation (max) @ ib, ic500mV @ 80mA, 800mA
voltage - collector emitter breakdown (max)25V
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль