MMDTA06-7, 80V 900mW 100@10mA,1V 500mA 2 NPN SOT-26 BIpolar TransIstors - BJT ROHS

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: MMDTA06-7
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes MMDTA06-7, 80V 900mW 100@10mA,1V 500mA 2 NPN ...
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.05
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
78
+
Бонус: 1.56 !
Бонусная программа
Итого: 78
Купить
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.05
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
collector- base voltage vcbo:100 V
collector-emitter saturation voltage:250 mV
collector- emitter voltage vceo max:80 V
configuration:Dual
emitter- base voltage vebo:6 V
factory pack quantity: factory pack quantity:3000
gain bandwidth product ft:163 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:Diodes Incorporated
maximum dc collector current:500 mA
maximum operating temperature:+150 C
minimum operating temperature:-55 C
mounting style:SMD/SMT
package / case:SOT-26-6
партномер8020504750
pd - power dissipation:1.28 W
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
series:MMDTA
subcategory:Transistors
technology:Si
transistor polarity:NPN
Время загрузки22:27:33
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль