MMDT5551

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes MMDT5551
Дата загрузки23.02.2024
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
190
+
Бонус: 3.8 !
Бонусная программа
Итого: 190
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
ЭлектроэлементTRANSISTOR, NPN/NPN, SOT363; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:160V; Power Dissipation Pd:200mW; DC Collector Current:200mA; DC Current Gain hFE:80hFE; Transistor Case Style:SOT-363; No. of Pins:6Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (15-Jan-2019); Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):200mV; Current Ic Continuous a Max:200mA; Gain Bandwidth ft Typ:300MHz; Hfe Min:80; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Termination Type:Surface Mount Device; Transistor Type:Small Signal
Дата загрузки23.02.2024
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
collector- base voltage vcbo180 V
collector-emitter saturation voltage0.2 V
collector- emitter voltage vceo max160 V
configurationDual
continuous collector current0.2 A
dc collector/base gain hfe min80
dc current gain hfe max250
emitter- base voltage vebo6 V
factory pack quantity3000
gain bandwidth product ft300 MHz
height1 mm
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
length2.2 mm
manufacturerDiodes Incorporated
maximum dc collector current0.2 A
maximum operating temperature+150 C
minimum operating temperature-55 C
mounting styleSMD/SMT
package / caseSOT-363-6
packagingReel
партномер8001997615
pd - power dissipation0.2 W
product categoryBipolar Transistors-BJT
rohsDetails
seriesMMDT55
transistor polarityNPN
Время загрузки0:09:58
width1.35 mm
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль