MMDT4146-7-F, Bipolar Transistors - BJT NPN BIPOLAR

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: MMDT4146-7-F
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes MMDT4146-7-F, Bipolar Transistors - BJT NPN ...
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.006
Высота1 mm
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
110
+
Бонус: 2.2 !
Бонусная программа
Итого: 110
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT NPN BIPOLAR
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.006
Высота1 mm
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
длина2.2 mm
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)120
конфигурацияDual
максимальный постоянный ток коллектора0.2 A
maximum collector base voltage30 V
maximum collector emitter voltage25 V
maximum dc collector current200 mA
maximum emitter base voltage5 V
maximum operating frequency300 MHz
maximum power dissipation200 mW
mounting typeSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)30 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.25 V
number of elements per chip2
package typeSOT-363(SC-88)
партномер8005060126
pd - рассеивание мощности200 mW
pin count6
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN, PNP
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)300 MHz
размер фабричной упаковки3000
серияMMDT41
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаDiodes Incorporated
transistor configurationIsolated
transistor typeNPN/PNP
упаковка / блокSOT-363-6
вид монтажаSMD/SMT
Время загрузки22:27:40
Ширина1.35 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль