Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT BIPOLAR COMP.

Подробное описание

88 ₽

– +

Бонус: 1.76 !

Бонусная программа

Итого: 88 ₽

Купить

Вес и габариты
длина	1.3 mm
Высота	0.35 м
категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
конфигурация	Dual
максимальная рабочая температура	+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора	200 mA, 200 mA
напряжение эмиттер-база (vebo)	5 V, 6 V
напряжение коллектор-база (vcbo)	40 V, 60 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	40 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер	400 mV, 300 mV
pd - рассеивание мощности	200 mW
подкатегория	Transistors
полярность транзистора	NPN, PNP
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)	300 MHz, 250 MHz
размер фабричной упаковки	3000
серия	MMDT39
тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
торговая марка	Diodes Incorporated
упаковка / блок	DFN1310H4-6
вид монтажа	SMD/SMT
Ширина	1 мм

Отзывов нет

Кнопки

MMDT3946LP4-7