MMDT3946

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes MMDT3946
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.03
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
95
+
Бонус: 1.9 !
Бонусная программа
Итого: 95
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Электроэлемент*** CHECK OUT OUR CYBER WEEK DEALS *** TRANSISTOR, NPN & PNP, DUAL, 40V, -200mA, 200mW, SOT-363, Transistor Polarity:NPN, PNP, Collector Emitter Voltage V(br)ceo:40V, Power Dissipation Pd:200mW, DC Collector Current:-200mA, DC Current Gain hFE:100, No. of Pins:6 , RoHS Compliant: Yes
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.03
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
collector- base voltage vcbo40 V
collector-emitter saturation voltage0.3 V
collector- emitter voltage vceo max40 V
configurationDual
dc current gain hfe max300
emitter- base voltage vebo6 V
factory pack quantity3000
gain bandwidth product ft300 MHz
height1 mm
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
length2.2 mm
manufacturerDIODES INCORPORATED
maximum dc collector current0.2 A
maximum operating temperature+150 C
minimum operating temperature-55 C
mounting styleSMD/SMT
package / caseSOT-363-6
packagingReel
партномер8001997612
pd - power dissipation0.2 W
product categoryBipolar Transistors-BJT
rohsDetails
seriesMMDT39
transistor polarityNPN, PNP
Время загрузки22:21:06
width1.35 mm
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль