MMDT3906-7-F, Bipolar Transistors - BJT -40V 200mW

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: MMDT3906-7-F
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes MMDT3906-7-F, Bipolar Transistors - BJT -40V 200mW
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.01
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
82
+
Бонус: 1.64 !
Бонусная программа
Итого: 82
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.01
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
collector- base voltage vcbo:40 V
collector-emitter saturation voltage:400 mV
collector- emitter voltage vceo max:40 V
configuration:Dual
continuous collector current:-200 mA
dc current gain hfe max:300
emitter- base voltage vebo:5 V
factory pack quantity: factory pack quantity:3000
gain bandwidth product ft:250 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:Diodes Incorporated
maximum collector base voltage-40 V
maximum collector emitter voltage-40 V
maximum dc collector current-200 mA
maximum dc collector current:200 mA
maximum emitter base voltage-5 V
maximum operating temperature+150 °C
maximum operating temperature:+150 C
maximum power dissipation200 mW
minimum dc current gain100
minimum operating temperature:-55 C
mounting style:SMD/SMT
mounting typeSurface Mount
number of elements per chip2
package / case:SOT-363-6
package typeSOT-363(SC-88)
партномер8005060120
pd - power dissipation:200 mW
pin count6
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
series:MMDT39
subcategory:Transistors
technology:Si
transistor configurationIsolated
transistor polarity:PNP
transistor typePNP
Время загрузки22:27:45
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль