MMDT3904Q-7-F, Bipolar Transistors - BJT 40V Dual NPN Small Signal Transistor

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: MMDT3904Q-7-F
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes MMDT3904Q-7-F, Bipolar Transistors - BJT 40V ...
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.01
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
120
+
Бонус: 2.4 !
Бонусная программа
Итого: 120
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJTAutomotive Bipolar Junction Transistors (BJT) Diodes Incorporated Automotive Bipolar Junction Transistors (BJT) are highly-reliable, AEC-Q101 qualified transistors that meet the demands of the automotive industry. These BJTs come with the leading-edge silicon technology that gives the best-in-class saturation voltage performance with respect to the footprint. The automotive BJTs provide high minimum gains that help to reduce the base current requirements and assist in faster switching. These BJTs are the Production Part Approval Process (PPAP) supported.
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.01
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
collector- base voltage vcbo:60 V
collector-emitter saturation voltage:300 mV
collector emitter voltage max40В
collector- emitter voltage vceo max:40 V
configuration:Dual
continuous collector current200мА
continuous collector current:200 mA
dc collector/base gain hfe min:30
dc current gain hfe min100hFE
dc ток коллектора200мА
dc усиление тока hfe100hFE
emitter- base voltage vebo:6 V
factory pack quantity: factory pack quantity:3000
gain bandwidth product ft:300 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
количество выводов6вывод(-ов)
квалификацияAEC-Q101
линейка продукции-
максимальная рабочая температура150°C
manufacturer:Diodes Incorporated
maximum dc collector current:200 mA
maximum operating temperature:+150 C
minimum operating temperature:-55 C
монтаж транзистораSurface Mount
mounting style:SMD/SMT
напряжение коллектор-эмиттер40В
package / case:SOT-363-6
партномер8005060118
pd - power dissipation:200 mW
полярность транзистораДвойной NPN
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
qualification:AEC-Q101
рассеиваемая мощность200мВт
series:MMDT3904Q
стандарты автомобильной промышленностиAEC-Q101
стиль корпуса транзистораSOT-363
subcategory:Transistors
technology:Si
transistor polarity:NPN
Время загрузки22:27:47
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль