MMDT3904_R1_00001, Bipolar Transistors - BJT DUALNPNGENERALPURPOS ESWITCHINGTRANSISTOR VCE40V IC200mA SOT-363

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: MMDT3904_R1_00001
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Panjit MMDT3904_R1_00001, Bipolar Transistors - BJT ...
Дата загрузки19.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.01
Информация о производителе
ПроизводительPanJit Semiconductors
БрендPanJit Semiconductors
64
+
Бонус: 1.28 !
Бонусная программа
Итого: 64
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Дата загрузки19.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.01
Информация о производителе
ПроизводительPanJit Semiconductors
БрендPanJit Semiconductors
Основные
collector- base voltage vcbo:60 V
collector-emitter breakdown voltage40V
collector-emitter saturation voltage:300 mV
collector- emitter voltage vceo max:40 V
configuration:Dual
continuous collector current:200 mA
dc collector/base gain hfe min:100 at 10 mA, 1 V
dc current gain hfe max:300 at 10 mA, 1 V
emitter- base voltage vebo:6 V
factory pack quantity: factory pack quantity:3000
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturerPANJIT International
manufacturer:Panjit
maximum dc collector current200mA
maximum dc collector current:200 mA
maximum operating temperature:+150 C
minimum operating temperature:-55 C
mounting style:SMD/SMT
package / caseSOT-363
package / case:SOT-363-6
packagingTape & Reel(TR)
партномер8004772488
pd - power dissipation225mW
pd - power dissipation:225 mW
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
series:DT-03TSN
subcategory:Transistors
technology:Si
transistor polarity:NPN
transistor type2 NPN(Double)
Время загрузки23:26:47
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль