Name: MMDT2907V-7, Bipolar Transistors - BJT PNP BIPOLAR
Brand: DIODES INC.
SKU: MMDT2907V-7

Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes MMDT2907V-7, Bipolar Transistors - BJT PNP BIPOLAR

Подробное описание

130 ₽

– +

Бонус: 2.6 !

Бонусная программа

Итого: 130 ₽

Купить

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT

Дата загрузки	22.02.2024
Вес и габариты
вес, г	0.01
Информация о производителе
Производитель	DIODES INC.
Бренд	DIODES INC.
Основные
collector- base voltage vcbo:	60 V
collector-emitter saturation voltage:	1.6 V
collector- emitter voltage vceo max:	60 V
configuration:	Dual
dc collector/base gain hfe min:	75
emitter- base voltage vebo:	5 V
factory pack quantity: factory pack quantity:	3000
gain bandwidth product ft:	200 MHz
категория	Электронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:	Diodes Incorporated
maximum dc collector current:	600 mA
maximum operating temperature:	+150 C
minimum operating temperature:	-55 C
mounting style:	SMD/SMT
package / case:	SOT-563-6
партномер	8006314779
pd - power dissipation:	150 mW
product category:	Bipolar Transistors-BJT
product type:	BJTs-Bipolar Transistors
series:	MMDT29
subcategory:	Transistors
technology:	Si
transistor polarity:	PNP
Время загрузки	22:27:48

Отзывов нет

Кнопки

Теги: