MMDT2227-7-F, 200mW 100@150mA,10V 600mA 1PCSNPN&1PCSPNP SOT-363 BIpolar TransIstors - BJT ROHS

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: MMDT2227-7-F
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes MMDT2227-7-F, 200mW 100@150mA,10V 600mA ...
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.04
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
18
+
Бонус: 0.36 !
Бонусная программа
Итого: 18
Купить
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.04
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
collector- base voltage vcbo:75 V, 60 V
collector-emitter saturation voltage:1 V, 1.6 V
collector- emitter voltage vceo max:40 V, 60 V
configuration:Dual
continuous collector current:600 mA
dc current gain hfe max:300
emitter- base voltage vebo:6 V
factory pack quantity: factory pack quantity:3000
gain bandwidth product ft:300 MHz, 200 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:Diodes Incorporated
maximum collector base voltage75 V
maximum collector emitter voltage60 V
maximum dc collector current600 mA
maximum dc collector current:600 mA
maximum emitter base voltage6 V
maximum operating temperature+150 °C
maximum operating temperature:+150 C
maximum power dissipation200 mW
minimum dc current gain100
minimum operating temperature:-55 C
mounting style:SMD/SMT
mounting typeSurface Mount
number of elements per chip2
package / case:SOT-363-6
package typeSOT-363(SC-88)
партномер8020517309
pd - power dissipation:200 mW
pin count6
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
series:MMDT22
subcategory:Transistors
technology:Si
transistor configurationIsolated
transistor polarity:NPN, PNP
transistor typeNPN+PNP
Время загрузки21:57:52
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль