MMDT2222V-7, 10nA 40V 150mW 100@150mA,10V 600mA 300MHz 1V@500mA,50mA 2 NPN -55°C~+150°C@(Tj) SOT-563 BIpolar TransIstors - BJT ROHS

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: MMDT2222V-7
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes MMDT2222V-7, 10nA 40V 150mW 100@150mA,10V ...
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.02
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
75
+
Бонус: 1.5 !
Бонусная программа
Итого: 75
Купить
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.02
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
collector- base voltage vcbo75 V
collector- emitter voltage vceo max40 V
configurationDual
dc collector/base gain hfe min35
emitter- base voltage vebo6 V
factory pack quantity3000
gain bandwidth product ft300 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturerDiodes Incorporated
maximum dc collector current0.6 A
maximum operating temperature+150 C
minimum operating temperature-55 C
mounting styleSMD/SMT
package / caseSOT-563-6
packagingCut Tape or Reel
партномер8017625905
pd - power dissipation150 mW
product categoryBipolar Transistors-BJT
product typeBJTs-Bipolar Transistors
seriesMMDT22
subcategoryTransistors
transistor polarityNPN
Время загрузки22:27:54
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль