MMDT2222A

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes MMDT2222A
Дата загрузки22.02.2024
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
130
+
Бонус: 2.6 !
Бонусная программа
Итого: 130
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
ЭлектроэлементSMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 2-ELEMENT, NPN, SILICON
Дата загрузки22.02.2024
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
collector- base voltage vcbo75 V
collector-emitter saturation voltage1 V
collector- emitter voltage vceo max40 V
configurationDual
dc current gain hfe max300
emitter- base voltage vebo6 V
factory pack quantity3000
gain bandwidth product ft300 MHz
height1 mm
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
length2.2 mm
manufacturerDiodes Incorporated
maximum dc collector current0.6 A
maximum operating temperature+150 C
minimum operating temperature-55 C
mounting styleSMD/SMT
package / caseSOT-363-6
packagingReel
партномер8003758135
pd - power dissipation0.2 W
product categoryBipolar Transistors-BJT
rohsDetails
seriesMMDT22
transistor polarityNPN
Время загрузки22:21:06
width1.35 mm
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль