MMDT2222A-7-F, Bipolar Transistors - BJT 40V 200mW

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: MMDT2222A-7-F
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes MMDT2222A-7-F, Bipolar Transistors - BJT 40V 200mW
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.01
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
140
+
Бонус: 2.8 !
Бонусная программа
Итого: 140
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.01
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
collector- base voltage vcbo:75 V
collector-emitter saturation voltage:1 V
collector- emitter voltage vceo max:40 V
configuration:Dual
continuous collector current:600 mA
dc current gain hfe max:300
emitter- base voltage vebo:6 V
factory pack quantity: factory pack quantity:3000
gain bandwidth product ft:300 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:Diodes Incorporated
maximum collector base voltage75 V
maximum collector emitter voltage40 V
maximum dc collector current600 mA
maximum dc collector current:600 mA
maximum emitter base voltage6 V
maximum operating frequency300 MHz
maximum operating temperature+150 °C
maximum operating temperature:+150 C
maximum power dissipation200 mW
minimum dc current gain100
minimum operating temperature:-55 C
mounting style:SMD/SMT
mounting typeSurface Mount
number of elements per chip2
package / case:SOT-363-6
package typeSOT-363(SC-88)
партномер8005060113
pd - power dissipation:200 mW
pin count6
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
series:MMDT22
subcategory:Transistors
technology:Si
transistor configurationIsolated
transistor polarity:NPN
transistor typeNPN
Время загрузки22:27:54
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль