MMBTH10Q-7-F, Bipolar Transistors - BJT RF Transistor

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: MMBTH10Q-7-F
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes MMBTH10Q-7-F, Bipolar Transistors - BJT RF ...
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
130
+
Бонус: 2.6 !
Бонусная программа
Итого: 130
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Модули беспроводной связи и РЧ полупроводники\Транзисторы РЧ\РЧ биполярные транзисторыРЧ биполярные транзисторы RF Transistor
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаРЧ биполярные транзисторы
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)60 at 4 mA, 10 V
конфигурацияSingle
квалификацияAEC-Q101
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура65 C
напряжение эмиттер-база (vebo)3 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.25 V
непрерывный коллекторный ток50 mA
партномер8004613486
pd - рассеивание мощности310 mW
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
рабочая частота650 MHz
размер фабричной упаковки3000
технологияSi
тип продуктаRF Bipolar Transistors
тип транзистораBipolar
торговая маркаDiodes Incorporated
упаковка / блокSOT-23-3
вид монтажаSMD/SMT
Время загрузки22:24:39
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль