MMBTH10

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes MMBTH10
Дата загрузки22.02.2024
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
98
+
Бонус: 1.96 !
Бонусная программа
Итого: 98
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
ЭлектроэлементRF SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR, 0.05A I(C), 1-ELEMENT, ULTRA HIGH FREQUENCY BAND, SILICON, NPN
Дата загрузки22.02.2024
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
collector- base voltage vcbo30 V
collector-emitter saturation voltage0.5 V
collector- emitter voltage vceo max25 V
configurationSingle
dc collector/base gain hfe min60
emitter- base voltage vebo3 V
factory pack quantity3000
gain bandwidth product ft650 MHz
height1 mm
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
length3.05 mm
manufacturerDiodes Incorporated
maximum dc collector current0.05 A
maximum operating temperature+150 C
minimum operating temperature-55 C
mounting styleSMD/SMT
package / caseSOT-23-3
packagingReel
партномер8002006996
pd - power dissipation300 mW
product categoryBipolar Transistors-BJT
rohsDetails
seriesMMBTH10
transistor polarityNPN
Время загрузки22:21:06
width1.4 mm
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль