MMBTH10-7-F

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes MMBTH10-7-F
Дата загрузки22.02.2024
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
85
+
Бонус: 1.7 !
Бонусная программа
Итого: 85
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - RFРЧ-транзистор NPN 25V 50mA 650MHz 300mW Surface Mount SOT-23-3
Дата загрузки22.02.2024
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
base product numberMMBTH10 ->
current - collector (ic) (max)50mA
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce60 @ 4mA, 10V
eccnEAR99
frequency - transition650MHz
htsus8541.21.0075
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
maximum collector base voltage30 V
maximum collector emitter voltage25 V
maximum dc collector current50 mA
maximum emitter base voltage3 V
maximum operating frequency650 MHz
maximum operating temperature+150 °C
maximum power dissipation300 mW
minimum dc current gain60
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
number of elements per chip1
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
package typeSOT-23
партномер8005942767
pin count3
power - max300mW
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
supplier device packageSOT-23-3
transistor configurationSingle
transistor typeNPN
voltage - collector emitter breakdown (max)25V
Время загрузки22:24:39
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль