MMBTH10-4LT1G, Bipolar Transistors - BJT 25V VHF Mixer NPN

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: MMBTH10-4LT1G
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor MMBTH10-4LT1G, Bipolar Transistors - BJT 25V ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.07
Высота0.94 mm
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
79
+
Бонус: 1.58 !
Бонусная программа
Итого: 79
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT 25V VHF Mixer NPN
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.07
Высота0.94 mm
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
длина2.9 mm
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)120
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
maximum collector emitter voltage25 V
maximum emitter base voltage3 V dc
maximum operating temperature+150 °C
maximum power dissipation300 mW
минимальная рабочая температура55 C
mounting typeSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)3 V
напряжение коллектор-база (vcbo)30 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.25 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.5 V
number of elements per chip1
package typeSOT-23
партномер8004738670
pd - рассеивание мощности225 mW
pin count3
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)800 MHz
размер фабричной упаковки3000
серияMMBTH10L
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаON Semiconductor
transistor configurationSingle
transistor typeNPN
упаковка / блокSOT-23-3
вид монтажаSMD/SMT
Время загрузки1:31:05
Ширина1.3 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль