Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJTБиполярные транзисторы - BJT -300V 300mW

Подробное описание

Вес и габариты
collector-emitter breakdown voltage	300V
длина	3.05 mm
Высота	1 мм

44 ₽

– +

Бонус: 0.88 !

Бонусная программа

Итого: 44 ₽

Купить

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJTБиполярные транзисторы - BJT -300V 300mW

Вес и габариты
collector-emitter breakdown voltage	300V
длина	3.05 mm
Высота	1 мм
категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	40
конфигурация	Single
максимальная рабочая температура	+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора	0.5 A
maximum dc collector current	500mA
минимальная рабочая температура	55 C
напряжение эмиттер-база (vebo)	5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)	300 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	300 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер	0.5 V
непрерывный коллекторный ток	0.2 A
pd - power dissipation	300mW
pd - рассеивание мощности	300 mW
подкатегория	Transistors
полярность транзистора	PNP
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)	50 MHz
размер фабричной упаковки	3000
серия	MMBTA92
тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
торговая марка	Diodes Incorporated
transistor type	PNP
упаковка / блок	SOT-23-3
вид монтажа	SMD/SMT
Ширина	1.4 мм

Отзывов нет

Кнопки

MMBTA92-7-F