MMBTA63LT1G, Транзистор: PNP, биполярный, Дарлингтон, 30В, 0,5А, 225мВт, SOT23

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: MMBTA63LT1G
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor MMBTA63LT1G, Транзистор: PNP, биполярный ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.02
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
31
+
Бонус: 0.62 !
Бонусная программа
Итого: 31
Купить
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.02
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
collector- base voltage vcbo30 V
collector- emitter voltage vceo max30 V
configurationSingle
continuous collector current-0.5 A
dc collector/base gain hfe min5000
emitter- base voltage vebo10 V
factory pack quantity3000
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturerON Semiconductor
maximum collector cut-off current0.1 uA
maximum dc collector current0.5 A
maximum operating temperature+150 C
minimum operating temperature-55 C
mounting styleSMD/SMT
package / caseSOT-23-3
packagingCut Tape or Reel
партномер8002864578
pd - power dissipation225 mW
product categoryDarlington Transistors
product typeDarlington Transistors
seriesMMBTA63L
subcategoryTransistors
transistor polarityPNP
Время загрузки0:18:01
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль