MMBTA56LT1G, Транзистор: PNP, биполярный, 80В, 0,5А, 225мВт, SOT23

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: MMBTA56LT1G
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor MMBTA56LT1G, Транзистор: PNP, биполярный ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.05
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
55
+
Бонус: 1.1 !
Бонусная программа
Итого: 55
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 0.5 А, 0.225Вт
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.05
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
collector- base voltage vcbo:80 V
collector-emitter saturation voltage:250 mV
collector- emitter voltage vceo max:80 V
configuration:Single
continuous collector current:-0.5 A
emitter- base voltage vebo:4 V
factory pack quantity: factory pack quantity:3000
gain bandwidth product ft:50 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:onsemi
maximum collector base voltage80 V
maximum collector emitter voltage-80 V
maximum dc collector current-500 mA
maximum dc collector current:500 mA
maximum emitter base voltage4 V
maximum operating frequency50 MHz
maximum operating temperature+150 °C
maximum operating temperature:+150 C
maximum power dissipation300 mW
minimum dc current gain100
minimum operating temperature:-55 C
mounting style:SMD/SMT
mounting typeSurface Mount
number of elements per chip1
package / case:SOT-23-3
package typeSOT-23
партномер8002542437
pd - power dissipation:225 mW
pin count3
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
series:MMBTA56L
subcategory:Transistors
technology:Si
transistor configurationSingle
transistor polarity:PNP
transistor typePNP
Время загрузки1:31:27
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль