MMBTA56-7-F, Bipolar Transistors - BJT 80V 300mW

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: MMBTA56-7-F
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes MMBTA56-7-F, Bipolar Transistors - BJT 80V 300mW
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.008
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
46
+
Бонус: 0.92 !
Бонусная программа
Итого: 46
Купить
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.008
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
maximum collector base voltage-80 V
maximum collector emitter voltage-80 V
maximum dc collector current-500 mA
maximum emitter base voltage-4 V
maximum operating frequency50 MHz
maximum operating temperature+150 °C
maximum power dissipation300 mW
minimum dc current gain100
mounting typeSurface Mount
number of elements per chip1
package typeSOT-23
партномер8006418447
pin count3
transistor configurationSingle
transistor typePNP
Время загрузки21:58:01
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль