MMBTA55-TP, Trans GP BJT PNP 60V 0.5A 225mW 3-Pin SOT-23 T/R

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: MMBTA55-TP
Diodes, Transistors and Thyristors\Bipolar Transistors\GP BJTTrans GP BJT PNP 60V 0.5A 225mW 3-Pin SOT-23 T/R
Вес и габариты
automotiveNo
base product numberMMBTA5* ->
configurationSingle
9
+
Бонус: 0.18 !
Бонусная программа
Итого: 9
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Diodes, Transistors and Thyristors\Bipolar Transistors\GP BJTTrans GP BJT PNP 60V 0.5A 225mW 3-Pin SOT-23 T/R
Вес и габариты
automotiveNo
base product numberMMBTA5* ->
configurationSingle
current - collector cutoff (max)100nA
current - collector (ic) (max)500mA
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce100 @ 100mA, 1V
длина3.04 mm
eccnEAR99
eccn (us)EAR99
eu rohsCompliant
frequency - transition50MHz
Высота 1.12 мм
htsus8541.21.0095
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
конфигурацияSingle
lead shapeGull-wing
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора0.5 A
maximum collector base voltage (v)60
maximum collector cut-off current (na)100
maximum collector-emitter saturation voltage (v)0.25 10mA 100mA
maximum collector-emitter voltage (v)60
maximum dc collector current (a)0.5
maximum emitter base voltage (v)4
maximum operating temperature (°c)150
maximum power dissipation (mw)225
maximum transition frequency (mhz)50(Min)
минимальная рабочая температура55 C
minimum dc current gain100 100mA 1V|100 10mA 1V
minimum operating temperature (°c)-55
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mountingSurface Mount
mounting typeSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)4 V
напряжение коллектор-база (vcbo)60 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.60 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.25 V
непрерывный коллекторный ток500 mA
number of elements per chip1
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
packagingTape and Reel
part statusActive
pcb changed3
pd - рассеивание мощности225 mW
pin count3
подкатегорияTransistors
полярность транзистораPNP
power - max225mW
ppapNo
product categoryBipolar Small Signal
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)50 MHz
размер фабричной упаковки3000
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
серияMMBTA55
standard package nameSOT
supplier device packageSOT-23
supplier packageSOT-23
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаMicro Commercial Components (MCC)
transistor typePNP
typePNP
упаковка / блокSOT-23-3
vce saturation (max) @ ib, ic250mV @ 10mA, 100mA
вид монтажаSMD/SMT
voltage - collector emitter breakdown (max)60V
Ширина1.4 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль