Name: MMBTA13LT1G, Транзистор NPN, биполярный, Дарлингтон, 30В, 300мА, 225мВт
Brand: ON Semiconductor***
SKU: MMBTA13LT1G

Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor MMBTA13LT1G, Транзистор NPN, биполярный ...

Подробное описание

14 ₽

– +

Бонус: 0.28 !

Бонусная программа

Итого: 14 ₽

Купить

Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 30 В, 0.3 А

Дата загрузки	20.02.2024
Вес и габариты
вес, г	0.05
Информация о производителе
Производитель	ON Semiconductor***
Бренд	ON Semiconductor***
Основные
категория	Электронные компоненты/Транзисторы
maximum base emitter saturation voltage	1.5 V
maximum collector base voltage	30 V
maximum collector cut-off current	100nA
maximum collector emitter saturation voltage	1.5 V
maximum collector emitter voltage	30 V
maximum continuous collector current	300 mA
maximum emitter base voltage	10 V
maximum operating temperature	+150 °C
maximum power dissipation	300 mW
minimum dc current gain	5000
minimum operating temperature	-55 °C
mounting type	Surface Mount
number of elements per chip	2
package type	SOT-23
партномер	8017536606
pin count	3
transistor configuration	Single
transistor type	NPN
Время загрузки	0:18:12
width	1.4mm

Отзывов нет

Кнопки

Теги: