MMBTA13LT1G, Trans Darlington NPN 30V 0.3A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул:MMBTA13LT1G
Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты
Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 30 В, 0.3 А
Дата загрузки
20.02.2024
Вес и габариты
вес, г
1
Информация о производителе
Производитель
ON Semiconductor***
Бренд
ON Semiconductor***
Основные
категория
Электронные компоненты/Транзисторы
maximum base emitter saturation voltage
1.5 V
maximum collector base voltage
30 V
maximum collector cut-off current
100nA
maximum collector emitter saturation voltage
1.5 V
maximum collector emitter voltage
30 V
maximum continuous collector current
300 mA
maximum emitter base voltage
10 V
maximum operating temperature
+150 °C
maximum power dissipation
300 mW
minimum dc current gain
5000
minimum operating temperature
-55 °C
mounting type
Surface Mount
number of elements per chip
2
package type
SOT-23
партномер
8001282130
pin count
3
transistor configuration
Single
transistor type
NPN
Время загрузки
0:18:12
width
1.4mm
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26