MMBTA13LT1G, MMBTA13LG NPN Darlington Transistor, 300 mA 30 V HFE:20000, 3-Pin SOT-23 (TO-236

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: MMBTA13LT1G
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor MMBTA13LT1G, MMBTA13LG NPN Darlington ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
11
+
Бонус: 0.22 !
Бонусная программа
Итого: 11
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Darlington PairsThe ON Semiconductor MMBTA13L is the NPN silicon Darlington amplifier transistors. The package size of transistor is the SOT−23.
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
maximum base emitter saturation voltage1.5 V
maximum collector base voltage30 V
maximum collector cut-off current100nA
maximum collector emitter saturation voltage1.5 V
maximum collector emitter voltage30 V
maximum continuous collector current300 mA
maximum emitter base voltage10 V
maximum operating temperature+150 °C
maximum power dissipation300 mW
minimum dc current gain20000
minimum operating temperature-55 °C
mounting typeSurface Mount
number of elements per chip1
package typeSOT-23(TO-236
партномер8014507038
pin count3
transistor configurationSingle
transistor typeNPN
Время загрузки0:18:14
width1.4mm
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль