MMBTA06WT1G, Bipolar Transistors - BJT 500mA 80V NPN

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: MMBTA06WT1G
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor MMBTA06WT1G, Bipolar Transistors - BJT 500mA ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.03
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
58
+
Бонус: 1.16 !
Бонусная программа
Итого: 58
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.03
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
collector- base voltage vcbo:80 V
collector-emitter saturation voltage:250 mV
collector- emitter voltage vceo max:80 V
configuration:Single
continuous collector current:0.5 A
emitter- base voltage vebo:4 V
factory pack quantity: factory pack quantity:3000
gain bandwidth product ft:100 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:onsemi
maximum dc collector current:500 mA
maximum operating temperature:+150 C
minimum operating temperature:-55 C
mounting style:SMD/SMT
package/case:SC-70-3
партномер8004738668
pd - power dissipation:460 mW
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
series:MMBTA06WT1
subcategory:Transistors
technology:Si
transistor polarity:NPN
Время загрузки1:31:33
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль