MMBTA06Q-7-F, Bipolar Transistors - BJT NPN Small Sig Trans 60Vcbo 60Vceo 4.0V

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: MMBTA06Q-7-F
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes MMBTA06Q-7-F, Bipolar Transistors - BJT NPN ...
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.008
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
85
+
Бонус: 1.7 !
Бонусная программа
Итого: 85
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT NPN Small Sig Trans 60Vcbo 60Vceo 4.0V
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.008
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
aec qualified numberAEC-Q101
automotiveYes
base product numberMMBTA06 ->
configurationSingle
current - collector cutoff (max)100nA
current - collector (ic) (max)500mA
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce100 @ 100mA, 1V
eccnEAR99
eccn (us)EAR99
eu rohsCompliant
frequency - transition100MHz
hts8541.29.00.75
htsus8541.21.0075
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
конфигурацияSingle
квалификацияAEC-Q101
lead shapeGull-wing
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора1 A
maximum collector base voltage (v)80
maximum collector-emitter saturation voltage (v)0.25@10mA@100mA
maximum collector-emitter voltage (v)80
maximum dc collector current (a)0.5
maximum emitter base voltage (v)4
maximum operating temperature (°c)150
maximum power dissipation (mw)350
maximum transition frequency (mhz)100(Min)
militaryNo
минимальная рабочая температура55 C
minimum dc current gain100@10mA@1V|100@100mA@1V
minimum operating temperature (°c)-55
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mountingSurface Mount
mounting typeSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)4 V
напряжение коллектор-база (vcbo)80 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.80 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер250 mV
непрерывный коллекторный ток500 mA
number of elements per chip1
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
package height0.98
package length02.09.2024
package width01.03.2024
packagingTape and Reel
партномер8004613483
part statusActive
pcb changed3
pd - рассеивание мощности310 mW
pin count3
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
power - max350mW
product categoryBipolar Small Signal
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)100 MHz
размер фабричной упаковки3000
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
seriesAutomotive, AEC-Q101 ->
серияMMBTA06
standard package nameSOT-23
supplier device packageSOT-23-3
supplier packageSOT-23
supplier temperature gradeAutomotive
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаDiodes Incorporated
transistor typeNPN
typeNPN
упаковка / блокSOT-23-3
vce saturation (max) @ ib, ic250mV @ 10mA, 100mA
вид монтажаSMD/SMT
voltage - collector emitter breakdown (max)80V
Время загрузки22:24:41
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль