MMBTA06-HF

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - SingleБиполярный (BJT) транзистор NPN 80V 500mA 100MHz 300mW Surface Mount SOT-23
Вес и габариты
current - collector cutoff (max)1ВµA
current - collector (ic) (max)500mA
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce100 @ 10mA, 1V
87
+
Бонус: 1.74 !
Бонусная программа
Итого: 87
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - SingleБиполярный (BJT) транзистор NPN 80V 500mA 100MHz 300mW Surface Mount SOT-23
Вес и габариты
current - collector cutoff (max)1ВµA
current - collector (ic) (max)500mA
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce100 @ 10mA, 1V
eccnEAR99
frequency - transition100MHz
htsus8541.21.0075
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.400
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)100
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
mounting typeSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)4 V
напряжение коллектор-база (vcbo)80 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.80 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.25 V
непрерывный коллекторный ток500 mA
operating temperature150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
pd - рассеивание мощности300 mW
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
power - max300mW
размер фабричной упаковки3000
supplier device packageSOT-23
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаComchip Technology
transistor typeNPN
упаковка / блокSOT-23-3
vce saturation (max) @ ib, ic250mV @ 10mA, 100mA
вид монтажаSMD/SMT
voltage - collector emitter breakdown (max)80V
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль