MMBTA06-7-F, Транзистор NPN, биполярный, 80В, 500мА, 350мВт, SOT23

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: MMBTA06-7-F
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes MMBTA06-7-F, Транзистор NPN, биполярный, 80В ...
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.02
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
17
+
Бонус: 0.34 !
Бонусная программа
Итого: 17
Купить
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.02
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
collector- base voltage vcbo:80 V
collector-emitter breakdown voltage80V
collector-emitter saturation voltage:250 mV
collector- emitter voltage vceo max:80 V
configuration:Single
continuous collector current:500 mA
emitter- base voltage vebo:4 V
factory pack quantity: factory pack quantity:3000
gain bandwidth product ft:100 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:Diodes Incorporated
maximum collector base voltage80 V
maximum collector emitter voltage80 V
maximum dc collector current500mA
maximum dc collector current:500 mA
maximum emitter base voltage4 V
maximum operating temperature+150 °C
maximum operating temperature:+150 C
maximum power dissipation300 mW
minimum dc current gain100
minimum operating temperature:-55 C
mounting style:SMD/SMT
mounting typeSurface Mount
number of elements per chip1
package / case:SOT-23-3
package typeSOT-23
партномер8002531934
pd - power dissipation300mW
pd - power dissipation:310 mW
pin count3
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
series:MMBTA06
subcategory:Transistors
technology:Si
transistor configurationSingle
transistor polarity:NPN
transistor typeNPN
Время загрузки21:57:37
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль