MMBTA05Q-13-F, Bipolar Transistors - BJT General Purpose Transistor SOT23 T&R 10K

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: MMBTA05Q-13-F
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes MMBTA05Q-13-F, Bipolar Transistors - BJT ...
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.01
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
97
+
Бонус: 1.94 !
Бонусная программа
Итого: 97
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJTAutomotive Bipolar Junction Transistors (BJT) Diodes Incorporated Automotive Bipolar Junction Transistors (BJT) are highly-reliable, AEC-Q101 qualified transistors that meet the demands of the automotive industry. These BJTs come with the leading-edge silicon technology that gives the best-in-class saturation voltage performance with respect to the footprint. The automotive BJTs provide high minimum gains that help to reduce the base current requirements and assist in faster switching. These BJTs are the Production Part Approval Process (PPAP) supported.
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.01
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
automotiveYes
частота перехода ft100МГц
collector- base voltage vcbo:60 V
collector-emitter saturation voltage:250 mV
collector- emitter voltage vceo max:60 V
configurationSingle
configuration:Single
continuous collector current:500 mA
dc collector/base gain hfe min:100
dc усиление тока hfe100hFE
eccn (us)EAR99
emitter- base voltage vebo:4 V
eu rohsCompliant
factory pack quantity: factory pack quantity:10000
gain bandwidth product ft:100 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
количество выводов3вывод(-ов)
квалификацияAEC-Q101
lead shapeGull-wing
линейка продукции-
максимальная рабочая температура150°C
manufacturer:Diodes Incorporated
maximum collector base voltage (v)60
maximum collector-emitter saturation voltage (v)0.25@10mA@100mA
maximum collector-emitter voltage (v)60
maximum dc collector current:500 mA
maximum dc collector current (a)0.5
maximum emitter base voltage (v)4
maximum operating temperature:+150 C
maximum operating temperature (°c)150
maximum power dissipation (mw)350
maximum transition frequency (mhz)100(Min)
minimum dc current gain100@10mA@1V|100@100mA@1V
minimum operating temperature:-55 C
minimum operating temperature (°c)-55
монтаж транзистораSurface Mount
mountingSurface Mount
mounting style:SMD/SMT
number of elements per chip1
package / case:SOT-23-3
packagingTape and Reel
партномер8005060032
part statusActive
pcb changed3
pd - power dissipation:310 mW
pin count3
полярность транзистораNPN
power dissipation350мВт
ppapYes
product categoryBipolar Small Signal
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
qualification:AEC-Q101
standard package nameSOT
стиль корпуса транзистораSOT-23
subcategory:Transistors
supplier packageSOT-23
technology:Si
transistor polarity:NPN
typeNPN
Время загрузки22:24:41
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль