MMBTA 06 LT1, Bipolar Transistors - BJT AF TRANS GP BJT NPN 80V 0.5A
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул:MMBTA 06 LT1
Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты
Bipolar Transistors - BJT AF TRANS GP BJT NPN 80V 0.5A
Дата загрузки
22.02.2024
Вес и габариты
вес, г
0.008
Информация о производителе
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Основные
collector- base voltage vcbo
80 V
collector-emitter saturation voltage
0.25 V
collector- emitter voltage vceo max
80 V
configuration
Single
continuous collector current
500 mA
emitter- base voltage vebo
4 V
factory pack quantity
39000
gain bandwidth product ft
100 MHz
height
1(Max)mm
категория
Электронные компоненты/Транзисторы
length
2.9 mm
manufacturer
Infineon
maximum dc collector current
1 A
maximum operating temperature
+150 C
minimum operating temperature
-65 C
mounting style
SMD/SMT
package / case
SOT-23-3
packaging
Reel
партномер
8005505376
part # aliases
MMBTA06LT1HTSA1 MMBTA06LT1XT SP000011685
pd - power dissipation
330 mW
product category
Bipolar Transistors-BJT
rohs
Details
series
MMBTA
transistor polarity
NPN
unit weight
0.00709 oz
Время загрузки
3:16:26
width
1.3 mm
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26