MMBT918LT1G, Транзистор: NPN

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: MMBT918LT1G
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor MMBT918LT1G, Транзистор: NPN
ON Semiconductor***
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.02
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
33
+
Бонус: 0.66 !
Бонусная программа
Итого: 33
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Trans RF BJT NPN 15V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.02
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
automotiveNo
collector- base voltage vcbo:30 V
collector-emitter saturation voltage:400 mV
collector- emitter voltage vceo max:15 V
configurationSingle
configuration:Single
continuous collector current:0.05 A
dc collector/base gain hfe min:20
eccn (us)EAR99
emitter- base voltage vebo:3 V
eu rohsCompliant
factory pack quantity: factory pack quantity:3000
gain bandwidth product ft:600 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
lead shapeGull-wing
manufacturer:onsemi
materialSi
maximum base emitter saturation voltage (v)1@1mA@10mA
maximum collector base voltage30 V dc
maximum collector base voltage (v)30
maximum collector cut-off current (na)50
maximum collector-emitter saturation voltage (v)0.4@1mA@10mA
maximum collector emitter voltage15 V
maximum collector-emitter voltage range (v)<20
maximum collector-emitter voltage (v)15
maximum dc collector current50 mA
maximum dc collector current:50 mA
maximum dc collector current (a)0.05
maximum dc collector current range (a)0.001 to 0.06
maximum emitter base voltage3 V
maximum emitter base voltage (v)3
maximum junction ambient thermal resistance556°C/W
maximum noise figure (db)6
maximum operating frequency100 MHz
maximum operating temperature+150 °C
maximum operating temperature:+150 C
maximum operating temperature (°c)150
maximum power dissipation225 mW
maximum power dissipation (mw)300
maximum transition frequency (mhz)600(Min)
minimum dc current gain20
minimum dc current gain range2 to 30
minimum operating temperature:-55 C
minimum operating temperature (°c)-55
mountingSurface Mount
mounting style:SMD/SMT
mounting typeSurface Mount
number of elements per chip1
operational bias conditions6V/8mA
output power (w)0.03(Min)
package / case:SOT-23-3
package typeSOT-23
packagingTape and Reel
партномер8017547822
part statusActive
pcb changed3
pd - power dissipation:225 mW
pin count3
ppapNo
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
series:MMBT918L
standard package nameSOT
subcategory:Transistors
supplier packageSOT-23
technology:Si
transistor configurationSingle
transistor polarity:NPN
transistor typeNPN
typeNPN
typical input capacitance (pf)2(Max)
typical output capacitance (pf)3(Max)
typical power gain (db)11(Min)
Время загрузки0:18:36
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль