MMBT8099LT1G, Транзистор NPN 80В 0.5A 0.225Вт [SOT-23-3]

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: MMBT8099LT1G
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor MMBT8099LT1G, Транзистор NPN 80В 0.5A 0.225Вт ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.3
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
150
+
Бонус: 3 !
Бонусная программа
Итого: 150
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
TRANSISTOR; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:80V; Transition Frequency ft:150MHz; Power Dissipation Pd:225mW; DC Collector Current:500mA; DC Current Gain hFE:150hFE; Transistor Case Style:SOT-23; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:MMBTxxxx Series; Automotive Qualification Standard:AEC-Q101; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (27-Jun-2018); Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):300mV; Current Ic Continuous a Max:500mA; Gain Bandwidth ft Typ:150MHz; Hfe Min:75; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Termination Type:Surface Mount Device
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.3
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
categoryBipolar Small Signal
configurationSingle
frequency150(MHz)
frequency (max)150 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
mountingSurface Mount
number of elements1
operating temperature classificationMilitary
operating temp range-55C to 150C
output powerNot Required(W)
package typeSOT-23
packagingTape and Reel
партномер9000657591
pin count3
power dissipation0.3(W)
rad hardenedNo
transistor polarityNPN
Время загрузки2:13:39
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль