MMBT6520LT1G, Bipolar Transistors - BJT 500mA 350V PNP

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: MMBT6520LT1G
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor MMBT6520LT1G, Bipolar Transistors - BJT 500mA ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.008
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
100
+
Бонус: 2 !
Бонусная программа
Итого: 100
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Trans GP BJT PNP 350 В 0,5 А 300 мВт 3-контактный SOT-23 T / R
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.008
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
automotiveNo
configurationSingle
eccn (us)EAR99
eu rohsCompliant
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
lead shapeGull-wing
materialSi
maximum base current (a)0.25
maximum base emitter saturation voltage (v)0.75 1mA 10mA|0.85 2mA 20mA|0.9 3mA 30mA
maximum collector base voltage (v)350
maximum collector cut-off current (na)50
maximum collector-emitter saturation voltage (v)0.3 1mA 10mA|0.35 2mA 20mA|0.5 3mA 30mA|1 5mA 50mA
maximum collector-emitter voltage (v)350
maximum dc collector current (a)0.5
maximum emitter base voltage (v)5
maximum operating temperature (°c)150
maximum power dissipation (mw)300
maximum transition frequency (mhz)200
minimum operating temperature (°c)-55
mountingSurface Mount
number of elements per chip1
operating junction temperature (°c)-55 to 150
packagingTape and Reel
партномер8005371650
part statusActive
pcb changed3
pin count3
ppapNo
product categoryBipolar Small Signal
standard package nameSOT
supplier packageSOT-23
typePNP
Время загрузки2:06:58
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль