MMBT6429LT1G, Bipolar Transistors - BJT 200mA 55V NPN

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: MMBT6429LT1G
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor MMBT6429LT1G, Bipolar Transistors - BJT 200mA ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.008
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
52
+
Бонус: 1.04 !
Бонусная программа
Итого: 52
Купить
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.008
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
collector current0.2A
collector-emitter breakdown voltage45V
frequency700MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturerONSEMI
maximum dc collector current200mA
mountingSMD
партномер8006206274
pd - power dissipation225mW
power dissipation0.225/0.3W
transistor typeNPN
Время загрузки1:30:37
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль