MMBT589LT1G, 30V 310mW 100@500mA,2V 1A PNP SOT23 Bipolar Transistors BJT ROHS

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: MMBT589LT1G
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor MMBT589LT1G, 30V 310mW 100@500mA,2V 1A PNP ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Высота0.94 mm
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
49
+
Бонус: 0.98 !
Бонусная программа
Итого: 49
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярные транзисторы - BJT 2A 30V Switching PNP
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Высота0.94 mm
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
длина2.9 mm
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
конфигурацияSingle
квалификацияAEC-Q101
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора1 A
минимальная рабочая температура55 C
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)50 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.30 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.65 V
непрерывный коллекторный ток1 A
партномер8008993959
pd - рассеивание мощности310 mW
подкатегорияTransistors
полярность транзистораPNP
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)100 MHz
размер фабричной упаковки3000
серияMMBT589L
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаON Semiconductor
упаковка / блокSOT-23-3
вид монтажаSMD/SMT
Время загрузки1:30:54
Ширина1.3 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль