MMBT5551M3T5G, Bipolar Transistors - BJT SOT-723 GP NPN TRANS

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: MMBT5551M3T5G
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor MMBT5551M3T5G, Bipolar Transistors - BJT ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.0013
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
55
+
Бонус: 1.1 !
Бонусная программа
Итого: 55
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Trans GP BJT NPN 160 В 0,06 A 640 мВт 3-контактный SOT-723 T / R
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.0013
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
automotiveNo
configurationSingle
eccn (us)EAR99
eu rohsCompliant
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
lead shapeFlat
maximum base emitter saturation voltage (v)1 1mA 10mA|1 5mA 50mA
maximum collector base voltage (v)180
maximum collector cut-off current (na)100
maximum collector-emitter saturation voltage (v)0.15 1mA 10mA|0.2 5mA 50mA
maximum collector-emitter voltage (v)160
maximum dc collector current (a)0.06
maximum emitter base voltage (v)6
maximum operating temperature (°c)150
maximum power dissipation (mw)640
minimum dc current gain80 1mA 5V|80 10mA 5V|30 50mA 5V
minimum operating temperature (°c)-55
mountingSurface Mount
number of elements per chip1
packagingTape and Reel
партномер8005526282
part statusActive
pcb changed3
pin count3
ppapNo
product categoryBipolar Small Signal
standard package nameSOT-723
supplier packageSOT-723
typeNPN
Время загрузки1:30:54
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль