MMBT5551LT3G

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor MMBT5551LT3G
ON Semiconductor***
Дата загрузки20.02.2024
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
38
+
Бонус: 0.76 !
Бонусная программа
Итого: 38
Купить
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Дата загрузки20.02.2024
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
automotiveNo
configurationSingle
eccn (us)EAR99
eu rohsCompliant
hts8541.21.00.95
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
lead shapeGull-wing
materialSi
maximum base emitter saturation voltage (v)1@1mA@10mA|1@5mA@50mA
maximum collector base voltage (v)180
maximum collector cut-off current (na)50
maximum collector-emitter saturation voltage (v)0.2@5mA@50mA|0.15@1mA@10mA
maximum collector-emitter voltage (v)160
maximum dc collector current (a)0.6
maximum emitter base voltage (v)6
maximum operating temperature (°c)150
maximum power dissipation (mw)300
militaryNo
minimum dc current gain30@50mA@5V|80@10mA@5V|80@1mA@5V
minimum operating temperature (°c)-55
mountingSurface Mount
number of elements per chip1
operating junction temperature (°c)-55 to 150
package height0.94
package length02.09.2024
package width01.03.2024
packagingTape and Reel
партномер8008547271
part statusActive
pcb changed3
pin count3
product categoryBipolar Small Signal
standard package nameSOT
supplier packageSOT-23
typeNPN
Время загрузки1:30:57
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль