MMBT5551LT1G, Биполярный транзистор, NPN, 180 В, 0.6 А, 0.225 Вт, [SOT-23]

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: MMBT5551LT1G
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor MMBT5551LT1G, Биполярный транзистор, NPN ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.05
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
статический коэффициент передачи тока h21э мин80
14
+
Бонус: 0.28 !
Бонусная программа
Итого: 14
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.05
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
статический коэффициент передачи тока h21э мин80
СтруктураNPN
БрендON Semiconductor***
Основные
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В180
Корпусsot-23
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
максимальная рассеиваемая мощность ,вт0.225
максимально допустимый ток к ( iк макс.а)0.6
макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(uкэо макс),в160
партномер57960
Время загрузки0:27:20
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль