MMBT5551G-B-AE3-R, 50nA 160V 350mW 150@10mA,5V 600mA 100MHz 200mV@50mA,5mA NPN +150-@(Tj) SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: MMBT5551G-B-AE3-R
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) UTC MMBT5551G-B-AE3-R, 50nA 160V 350mW ...
Дата загрузки12.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.04
Информация о производителе
ПроизводительUnisonic Technologies Co., Ltd.
БрендUnisonic Technologies Co., Ltd.
10
+
Бонус: 0.2 !
Бонусная программа
Итого: 10
Купить
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Дата загрузки12.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.04
Информация о производителе
ПроизводительUnisonic Technologies Co., Ltd.
БрендUnisonic Technologies Co., Ltd.
Основные
collector-emitter breakdown voltage160V
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
maximum dc collector current600mA
партномер8015935832
pd - power dissipation350mW
transistor typeNPN
Время загрузки23:12:38
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль