MMBT5551_R1_00001, Bipolar Transistors - BJT NPNHIGHVOLTAGETRANSISTOR VCE160V IC600mA SOT-23

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: MMBT5551_R1_00001
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Panjit MMBT5551_R1_00001, Bipolar Transistors - BJT ...
Дата загрузки19.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительPanJit Semiconductors
БрендPanJit Semiconductors
64
+
Бонус: 1.28 !
Бонусная программа
Итого: 64
Купить
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Дата загрузки19.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительPanJit Semiconductors
БрендPanJit Semiconductors
Основные
collector-emitter breakdown voltage160V
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
maximum dc collector current600mA
партномер8005536355
pd - power dissipation250mW
transistor typeNPN
Время загрузки23:26:40
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль