MMBT5551_R1_00001, 50nA 160V 250mW 80@10mA,5V 600mA 100MHz 200mV@50mA,5mA NPN -55-~+150-@(Tj) SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: MMBT5551_R1_00001
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Panjit MMBT5551_R1_00001, 50nA 160V 250mW 80@10mA,5V ...
Дата загрузки19.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.03
Информация о производителе
ПроизводительPanJit Semiconductors
БрендPanJit Semiconductors
14
+
Бонус: 0.28 !
Бонусная программа
Итого: 14
Купить
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Дата загрузки19.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.03
Информация о производителе
ПроизводительPanJit Semiconductors
БрендPanJit Semiconductors
Основные
collector-emitter breakdown voltage160V
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
maximum dc collector current600mA
партномер8015876549
pd - power dissipation250mW
transistor typeNPN
Время загрузки23:26:41
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль