MMBT5551-TP

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJTБиполярный (BJT) транзистор NPN 160V 600mA 100MHz 300mW Surface Mount SOT-23
Вес и габариты
base product numberMMBT5551 ->
collector-emitter breakdown voltage160V
current - collector cutoff (max)50nA (ICBO)
48
+
Бонус: 0.96 !
Бонусная программа
Итого: 48
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJTБиполярный (BJT) транзистор NPN 160V 600mA 100MHz 300mW Surface Mount SOT-23
Вес и габариты
base product numberMMBT5551 ->
collector-emitter breakdown voltage160V
current - collector cutoff (max)50nA (ICBO)
current - collector (ic) (max)600mA
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce100 @ 10mA, 5V
eccnEAR99
frequency - transition100MHz
htsus8541.21.0075
maximum dc collector current600mA
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
pd - power dissipation300mW
power - max300mW
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
supplier device packageSOT-23
transistor typeNPN
vce saturation (max) @ ib, ic500mV @ 5mA, 50mA
voltage - collector emitter breakdown (max)160V
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль