MMBT5550LT3G, Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: MMBT5550LT3G
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor MMBT5550LT3G, Trans GP BJT NPN 140V 0.6A ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
6
+
Бонус: 0.12 !
Бонусная программа
Итого: 6
Купить
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
collector- base voltage vcbo:160 V
collector-emitter saturation voltage:250 mV
collector- emitter voltage vceo max:140 V
configuration:Single
continuous collector current:600 mA
dc collector/base gain hfe min:60
emitter- base voltage vebo:6 V
factory pack quantity: factory pack quantity:10000
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:onsemi
maximum dc collector current:600 mA
maximum operating temperature:+150 C
minimum operating temperature:-55 C
mounting style:SMD/SMT
package / case:SOT-23-3
партномер8001286190
pd - power dissipation:225 mW
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
series:MMBT5550L
subcategory:Transistors
technology:Si
transistor polarity:NPN
Время загрузки0:18:44
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль