Name: MMBT5550LT3G, Bipolar Transistors - BJT SS HV XSTR NPN 160V
Brand: ON Semiconductor***
SKU: MMBT5550LT3G

Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor MMBT5550LT3G, Bipolar Transistors - BJT SS HV ...

Подробное описание

49 ₽

– +

Бонус: 0.98 !

Бонусная программа

Итого: 49 ₽

Купить

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT

Дата загрузки	20.02.2024
Вес и габариты
вес, г	0.01
Информация о производителе
Производитель	ON Semiconductor***
Бренд	ON Semiconductor***
Основные
collector- base voltage vcbo:	160 V
collector-emitter saturation voltage:	250 mV
collector- emitter voltage vceo max:	140 V
configuration:	Single
continuous collector current:	600 mA
dc collector/base gain hfe min:	60
emitter- base voltage vebo:	6 V
factory pack quantity: factory pack quantity:	10000
категория	Электронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:	onsemi
maximum dc collector current:	600 mA
maximum operating temperature:	+150 C
minimum operating temperature:	-55 C
mounting style:	SMD/SMT
package / case:	SOT-23-3
партномер	8004738667
pd - power dissipation:	225 mW
product category:	Bipolar Transistors-BJT
product type:	BJTs-Bipolar Transistors
series:	MMBT5550L
subcategory:	Transistors
technology:	Si
transistor polarity:	NPN
Время загрузки	1:30:57

Отзывов нет

Кнопки

Теги: