MMBT5401LT3G, Trans GP BJT PNP 150V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: MMBT5401LT3G
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor MMBT5401LT3G, Trans GP BJT PNP 150V 0.5A ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
6
+
Бонус: 0.12 !
Бонусная программа
Итого: 6
Купить
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
collector- base voltage vcbo:160 V
collector-emitter saturation voltage:500 mV
collector- emitter voltage vceo max:150 V
configuration:Single
continuous collector current:-500 mA
dc collector/base gain hfe min:50
emitter- base voltage vebo:5 V
factory pack quantity: factory pack quantity:10000
gain bandwidth product ft:300 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:onsemi
maximum dc collector current:500 mA
maximum operating temperature:+150 C
minimum operating temperature:-55 C
mounting style:SMD/SMT
package / case:SOT-23-3
партномер8001288873
pd - power dissipation:225 mW
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
series:MMBT5401L
subcategory:Transistors
technology:Si
transistor polarity:PNP
Время загрузки0:17:18
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль