MMBT5401LT3G, Биполярный транзистор, AEC-Q101, PNP, 150 В, 500 мА, 225 мВт, SOT-23, Surface Mount

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: MMBT5401LT3G
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor MMBT5401LT3G, Биполярный транзистор ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.002
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
54
+
Бонус: 1.08 !
Бонусная программа
Итого: 54
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\?????????? ????????? ??????? ???????????? - BJT
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.002
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
collector- base voltage vcbo:160 V
collector-emitter saturation voltage:500 mV
collector- emitter voltage vceo max:150 V
configuration:Single
continuous collector current:-500 mA
dc collector/base gain hfe min:50
emitter- base voltage vebo:5 V
factory pack quantity: factory pack quantity:10000
gain bandwidth product ft:300 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:onsemi
maximum dc collector current:500 mA
maximum operating temperature:+150 C
minimum operating temperature:-55 C
mounting style:SMD/SMT
package / case:SOT-23-3
партномер8129474037
pd - power dissipation:225 mW
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
series:MMBT5401L
subcategory:Transistors
technology:Si
transistor polarity:PNP
Время загрузки1:31:00
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль