MMBT5401

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes MMBT5401
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.03
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
91
+
Бонус: 1.82 !
Бонусная программа
Итого: 91
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
ЭлектроэлементTRANS, PNP, -150V, -0.6A, 0.31W; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-150V; Transition Frequency ft:300MHz; Power Dissipation Pd:310mW; DC Collector Current:-600mA; DC Current Gain hFE:50hFE; Transistor Case Style:SOT-23; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (15-Jan-2019)
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.03
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
collector- base voltage vcbo-160 V
collector-emitter saturation voltage-0.5 V
collector- emitter voltage vceo max-150 V
configurationSingle
dc collector/base gain hfe min60
dc current gain hfe max240
emitter- base voltage vebo-5 V
factory pack quantity3000
gain bandwidth product ft300 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
кол-во в упаковке3000
manufacturerDiodes Incorporated
maximum dc collector current0.2 A
maximum operating temperature+150 C
maximum power dissipation300 mW
minimum operating temperature-55 C
mounting styleSMD/SMT
package / caseSOT-23
packagingReel
партномер8001997603
product categoryBipolar Transistors-BJT
rohsDetails
seriesMMBT5401
transistor polarityPNP
Время загрузки22:21:11
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль